Glosario tecnológico 3

Hola a todos ya estamos aquí con la nueva entrega del glosario tecnológico :

Hub controlador de memoria :

interfaz entre el procesador, el puerto de gráficos acelerado y la memoria RDRAM en las placas base que utilizan conjuntos de chips Intel 820 ó 840.

Hub traductor de memoria :

La interfaz que permite admitir la memoria SDRAM en un canal Direct Rambus para placas base utilizando el conjunto de chips Intel 820.

IC (Circuito integrado):

circuito electrónico en un chip semiconductor. El circuito incluye componentes y conectores. Un chip semiconductor se diseña normalmente en una funda de plástico o cerámica y tiene patillas conectoras externas.

JEDEC :

organismo de la Electronic Industries Alliance (EIA) que establece los estándares de ingeniería de los semiconductores.

Latencia CAS:

relación entre el tiempo de acceso a la columna y el ciclo de tiempo del reloj. La latencia CAS 2 (CL2) ofrece un rendimiento ligeramente mayor que la latencia CAS 3 (CL3).

 

Megabit:

aproximadamente un millón de bits o, de manera exacta, 1 bit x 1.024² (1.048.576) bits.

Megabyte:
término más común que se utiliza para designar la capacidad de un módulo de memoria. Un megabyte equivale aproximadamente a un millón de bytes o, de manera exacta, a 1 byte x 1.024² (1.048.576) bytes.

Memoria de canal virtual :

VCM es una arquitectura de memoria desarrollada por NEC. VCM permite tener diferentes bloques de memoria, cada una con su propio búfer, para interactuar de manera separada con el controlador. De esta manera, cada tarea del sistema puede tener asignado su propio canal virtual.

Memoria de acceso aleatorio Windows:

memoria de dos puertos (dos puertos de datos separados) de Samsung Electronics, que se encuentra normalmente en una tarjeta de vídeo o gráficos. WRAM tiene un 25% más de ancho de banda que VRAM pero cuesta menos.

Memoria virtual:

Memoria simulada. Cuando la memoria RAM está llena, el ordenador envía y extrae datos del disco duro según sus necesidades. 

Modo de página rápida:

forma anterior de DRAM, la ventaja del modo de página rápida sobre las tecnologías de memoria de modo de página anteriores era el acceso más rápido a los datos de la misma fila.

Memoria registrada:

memoria SDRAM que contiene registros directamente en el módulo. Los registros redirigen la señal a través de los chips de memoria y permiten que se construya el módulo con más chips de memoria. La memoria registrada y la no intermedia no se pueden mezclar. El diseño del controlador de memoria del ordenador indica qué tipo de memoria requiere el equipo.

Memoria flash:

memoria de estado sólido, no volátil y regrabable que funciona como una combinación de RAM y disco duro. La memoria flash es duradera, funciona con un voltaje bajo y guarda los datos cuando no existe alimentación. Las tarjetas de memoria flash se utilizan en cámaras digitales, teléfonos móviles, impresoras, PDA, buscapersonas y grabadores de audio.

Memoria de propiedad:

memoria personalizada diseñada para un equipo específico

Memoria SDRAM con DDR :

última generación de tecnología SDRAM. Los datos se leen tanto durante la subida como durante la bajada del reloj del ordenador, de esa manera se proporciona el doble de ancho de banda que con la memoria SDRAM estándar. Con la memoria SDRAM con DDR, la velocidad de la memoria se dobla sin incrementar la frecuencia del reloj.

Memoria tarjeta de crédito:

tipo de memoria que se utiliza normalmente en equipos y ordenadores portátiles. La memoria de tarjeta de crédito es del tamaño de una tarjeta de crédito.

Memoria intermedia:

módulo de memoria que contiene búferes. Los búferes redirigen las señales a través de los chips de memoria y permiten que el módulo incluya más chips de memoria. No se puede mezclar la memoria intermedia con la no intermedia. El diseño del controlador de memoria del equipo indica si la memoria debe ser intermedia o no.

Memoria caché:

cantidad pequeña (normalmente menos de 1 MB) de memoria de alta velocidad que reside en, o cerca de, la CPU. La memoria caché proporciona al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia. La caché de nivel 1 (caché primaria) es la caché que se encuentra más cerca del procesador. La caché de nivel 2 (caché secundaria) es la segunda caché más cercana al procesador y se encuentra normalmente en la placa base.

Modo de ráfagas:

transmisión de alta velocidad de un bloque de datos (una serie de direcciones consecutivas) cuando el procesador solicita una dirección única.

Memoria:

memoria de acceso aleatorio del ordenador. La memoria guarda temporalmente datos e instrucciones para la CPU. Véase RAM.

Micro BGA :

técnica de empaquetado de chips de Tessera, Inc. que permite la reducción del tamaño del paquete, mejora la disipación del calor y proporciona densidades de módulo mayores.

MicroDIMM :

más pequeños que un módulo SODIMM, los módulos MicroDIMM se utilizan sobre todo en equipos subportátiles. Los módulos MicroDIMM se encuentran disponibles en SDRAM de 144 patillas y DDR de 172 patillas.

Medio byte:

4 bits o la mitad de un byte de 8 bits.

Nanosegundos (ns):

milmillonésima parte de un segundo. Los tiempos de acceso a los datos de la memoria se miden en nanosegundos. Por ejemplo, los tiempos de acceso a la memoria para los módulos SIMM típicos de 30 y 72 patillas van de los 60 a los 100 nanosegundos.